GB/T 14141-1993 硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
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基本信息
标准名称: | 硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 |
英文名称: | Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array |
中标分类: | 冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金属物理性能试验方法 |
ICS分类: | |
替代情况: | 被GB/T 14141-2009代替 |
发布部门: | 国家技术监督局 |
发布日期: | 1993-02-06 |
实施日期: | 1993-10-01 |
首发日期: | 1993-02-06 |
作废日期: | 2010-06-01 |
主管部门: | 国家标准化管理委员会 |
归口单位: | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
起草单位: | 峨眉半导体材料研究所 |
出版社: | 中国标准出版社 |
出版日期: | 1900-01-01 |
页数: | 平装16开, 页数:6, 字数:9千字 |
适用范围
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2~3μm的薄层,测量范围为250~5000Ω;对于厚度不小于3μm的薄层,薄层电阻的测量下限可达10Ω。
前言
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所属分类: 冶金 金属理化性能试验方法 金属物理性能试验方法
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